NPT-IGBT相关论文
提出了一种低功率损耗的新结构 IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构 ,该耐压层包括深扩散形成的 n型缓冲层和硼注入形成的......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是现如今主流的功率半导体器件之一,具有高耐压,大电流,低损耗等优点,在电力电子领域内有广泛应用。目前,......
对 8 0年代末出现、90年代迅速发展起来的离子背注入发射区的NPT -IGBT进行简单介绍 ,包括其结构、制造、性能特点和优缺点。......
本文对一种新的IGBT结构——“内透明集电区IGBT”（ITC-IGBT）进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型......
提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型，通过与二维器件数值仿真比较，表明模型结果和仿真结果能较好地吻合，基于该模型，详细地分析了......
IGBT的NPT和PT工艺技术比较 IGBT(绝缘栅双极晶体管)的应用主要是在功率变换方面,其范围从电机、机器人、工业驱动及风机泵类所用......
对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集......
提出了一种低功率损耗的新结构IGBT,该新结构的创新点在于其复合耐压层结构，该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明......
本文介绍了用TMS320C5402在线擦写Flash芯片的方法。硬件电路选用DRAM芯片IS61LV25616AL（256K×16bits）作为片外程序存储器，以提......
本文首次对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真。这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上......
提出了局域寿命控制下NPT-IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分......
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT......
